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CY14B102
CY14B108
nvSRAM
Cypress日前推出2Mb与8Mb非挥发性静态随机存取存储器(
nvSRAM)，新元件具备20ns存取时间、无限次数读写及记忆周期、20年资料保存等特色，适合需要持续高速写入资料，并要求安全的应用，如伺服器、RAID、工业控制、汽车、医疗、数据通讯系统。
CY14B102 2Mb nvSRAM与CY14B108 8Mb nvSRAM均符合ROHS环保规章，能直接取代SRAM、电池供电SRAM、EPROM与EEPROM等元件，不需使用电池就能提供可靠的非挥发资料储存功能。在关闭电源时，系统会自动把SRAM储存的资料传送到元件的非挥发储存元件。在启动电源时，再把资料从非挥发存储器回存到SRAM。
两种作业都在软件的控制下执行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，SONOS)嵌入式非挥发性存储器技术，具备更高密度，并能改善存取时间与效能。
新的2Mb与8Mb nvSRAM产品提供一个即时时脉功能，结合最低的待机振荡器电流与最高效能的整合式存储器，可经由非挥发性存储器支持，为发生事件加上时间戳记。
相较于电池备援的SRAMS，nvSRAM所需电路板空间更少、设计复杂度更低，而且比MRAM或铁电存储器(FRAM)更经济。新的nvSRAM也是Cypress所推出一系列nvSRAM中的最新产品，包括16Kbit、6?Kbit、256Kbit、1Mbit与4Mbit的nvSRAM元件，皆已量产供货。
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