MOSFET原理应用相关的文章 |
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| 2008-06-04 | Allegro发布汽车级全桥式MOSFET预驱动器IC A3941 Allegro发布新款H桥器件，完善其现有汽车级MOSFET预驱动器 IC 产品线。Allegro 的新器件采用最新一代 BCD 工艺设计，许多功能得到改善，使 A3941 非常适合于汽车高温系统和采用 24 V 电池的工业系统。 |
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| 2008-04-28 | 飞思卡尔推出9.0V～18V四组输出集成MOSFET器件MC34700 飞思卡尔在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。MC34700是一款9.0V～18V四组输出集成MOSFET器件，广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。 |
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| 2008-03-25 | 安华高推出小型2.5A门极驱动光电耦合器ACPL-K312 Avago(安华高科技)推出一款具备2.5A最高尖峰输出电流的新门极驱动光电耦合器产品ACPL-K312。新ACPL-K312成功地满足了低功耗需求，并具有高抗噪声能力和快速的IGBT开关切换能力，可以改善效率，非常适合IGBT/MOSFET门极驱动、交流和无刷直流电机以及开关式电源等应用。 |
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| 2008-03-24 | Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1 凌力尔特(Linear)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步稳压器，以用作降压或升压型DC/DC转换器。 |
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| 2008-03-10 | Infineon推出900V Superjunction MOSFET用于高效SMPS Infineon发布900V superjunction MOSFET，特定应用于高效SMPS（switched-mode power supply），工业和可再生能源应用中。 |
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| 2008-03-07 | AOS在IIC上展出业界导通电阻最低的60伏MOSFET 伴随着全球能源需求的不断增长及环保意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势，而性能优良的功率器件再加上完整杰出的电源管理解决方案则成为提高能效、降低损耗的最佳途径。 |
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| 2008-02-28 | 飞兆新推PowerTrench MOSFET产品FDD4141 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%。 |
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| 2008-02-12 | 富鼎先进推出P通道MOSFET APE1803A 富鼎先进(APEC)推出一款高性能具备单通道、高效率且频率可高达330KHz的非同步整流降压稳压器APE1803A，其内部High side端已建立一P通道MOSFET，所以可使外部电路更简易。 |
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| 2008-01-18 | Vishay最新LDO控制器SiP21301具有可调及固定输出电压选择 Vishay推出具有可调及固定输出电压选择的LDO控制器SiP21301，该器件采用N通道MOSFET，可在高达7A的极高电流情况下提供不到50mV的超低压降。SiP21301已进行了优化，可驱动N通道MOSFET，以便为游戏机、机顶盒、液晶电视及网络设备中的FPGA、ASIC及ASSP供电。 |
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| 2008-01-17 | Allegro发布两款全新汽车级三相无刷直流电动机控制器A3930/31 Allegro发布两款全新汽车级(温度和电压为额定)三相无刷直流电动机控制器集成电路A3930和A3931。上述两种控制IC集成了整流逻辑，减少了系统微处理器的负载，从而大大简化了系统设计，降低了系统成本。这些控制器主要用于采用分立/外部N通道MOSFET驱动的汽车霍尔整流三相电动机。 |
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| 2007-12-05 | 蔓延的浮躁情绪正在成为损毁中国腾飞的电子业的罪魁祸首 “一家本土IC设计公司的产品因性能和宣传不符其老板被产业中人称为‘骗子’！”“一家本土电源IC设计公司的产品不但与国外某知名品牌的产品管脚完全‘兼容’而且连Application note都一模一样！”“一个公司从外国买了一款MOSFET的设计版图找到代工厂就开始出货，而且挣了大钱！”……种种迹象显示，一种浮躁情绪在中国电子业蔓延，而且正在损毁刚刚腾飞的中国电子业！ |
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| 2007-11-14 | 飞兆推出Green FPS功率开关FSFR2100可用于谐振转换器设计中 飞兆半导体推出高集成度绿色Green FPS功率开关FSFR2100。FSFR2100能够在电信电源、高端音频放大器、大型激光打印机和LCD及PDP-TV电源等谐振转换器设计中，提高效率和系统可靠性，并缩短宝贵的设计时间。该功率开关提供“系统级封装”方法，集成了所有必需元件以构建可靠及高效的谐振转换器，并在高热效的9-SIP封装中集成了一个脉冲频率调制(PFM)控制器，一个高压栅极驱动电路和两个快速恢复MOSFET(FRFET)，以及软启动、间歇工作模式和重要的保护功能。 |
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| 2007-10-29 | 飞兆推出7款新的STEALTH II快速恢复二极管 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出7款新的STEALTH II快速恢复二极管，协助电源设计人员提高效率并同时减小占用空间。这些STEALTH II整流器具有快速反向恢复和软恢复特性，能够在CCM(连续电流模式)PFC设计中降低MOSFET开关损耗和EMI。 |
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| 2007-10-19 | IR推出采用IRS2092集成式音频驱动器IC的芯片组 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)近日推出了采用IRS2092集成式音频驱动器IC的芯片组，具有保护式脉宽调制(PWM)开关和IR完整的数字音频MOSFET等特性。该芯片组主要针对从50W至 500W的中功率、高性能D类音频放大器应用。 |
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| 2007-09-03 | Zetex功率微型NPN及PNP晶体管新系列可满足新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求 Zetex Semiconductors公司近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。 |
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| 2007-07-09 | Microchip推出MCP1401及MCP1402单输出MOSFET驱动器 单 片机及模拟半导体供应商Microchip Technology Inc.宣布推出MCP1401及MCP1402 (MCP140X)单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402 MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0.5A，工作电压范围则宽达4.5V至18V。 |
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| 2007-05-22 | 飞兆互补型40V MOSFET器件FDD8424H具有良好的散热能力 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。 |
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| 2007-04-25 | Vishay高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC可用于汽车中的高强度放电管 Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。 |
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| 2007-04-11 | Zetex推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET是用于汽车系统 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商捷特科(Zetex Semiconductors)公司近日推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 |
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| 2007-03-07 | IR车载MOSFET系列新品内置保护电路 International Rectifier Japan(IR日本)日前上市了配备各种保护电路的车载功率MOSFET“IPS60xxPbF”系列的5种新产品。内置保护电路的功率MOSFET称为“IPS(智能功率开关)”。 |
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| 2007-03-05 | 飞兆推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。 |
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| 2007-02-06 | 盛群推出MCU HT45RM03并搭配高压MOSFET闸极驱动器 盛 群半导体针对三相直流无刷马达控制领域，推出专用MCU-HT45RM03并搭配高压MOSFET闸极驱动器HT45B0C。HT45B0C搭配 Holtek新发表的直流无刷马达控制器HT45RM03，是控制直流无刷马达最佳的方案选择。适用的应用领域包含：电动自行车、吸尘器及各种直流无刷马 达类的工业控制领域。 |
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| 2007-01-08 | IR发布最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF 国 际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用 IR的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁 平型SO-8封装。 |
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| 2007-01-08 | 面向汽车等市场的电力供应应用，麦克雷尔推出10V MOSFET驱动器系列 模拟、高速带宽通信和以太网集成电路解决方案领域的企业麦克雷尔公司日前宣布推出新的10V驱动器系列产品，该系列产品是用来驱动在半桥和同步反向拓扑中高端和低侧N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 |
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| 2006-12-22 | 免费MOSFET热模拟在线工具现正流行！ 一种能对Vishay Siliconix MOSFET的热性能进行模拟，并号称是第一款利用有限元分析以提高精确度的免费在线工具目前正在网上流行。 |
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| 2006-12-13 | Sipex全新PowerBlox产品集成2颗高性能MOSFET Sipex 的PowerBlox系列DC/DC又推出新产品，最新的SP766x只需要一路电源，输出电压低至0.8V，最大电流能力达12A。在一个DFN-26 的封装里，PowerBlox集成2颗高性能MOSFET，外围只需少量的元件便可组成大电流开关电源，同时高达93%的效率也使得发热量及少。 |
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| 2006-11-16 | 飞兆新型低导通电阻30/40V MOSFET可优化汽车电子系统设计 飞兆半导体的30/40V MOSFET,其RDS(on)低至2.0m Ohms，据称是业界导通电阻最低的器件之一。飞兆半导体面向汽车应用的MOSFET经鉴定达到ISO/TS 16949 标准。 |
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| 2006-10-25 | 飞兆低压MOSFET系列再添新丁，11款新器件问世 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计。 |
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| 2006-09-04 | 车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。 |
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| 2006-06-01 | 智能功率IGBT和MOSFET让汽车更加舒适环保 汽 油机缸内直喷是当前轿车汽油喷射中的前沿技术，多点顺序汽油喷射将各个点火线圈分别安装在各缸的进气歧管中，使各缸混合气分配较均匀，因此能很好地适应减 少排放、降低油耗、提高输出功率及改善驾驶性能等要求。浙江吉利汽车有限公司负责发动机产品的林辉部长说：“电控喷射发动机已成为现代汽油发动机的主 流。”目前，以奇瑞、吉利、天津一汽为代表的中国品牌轿车汽油机缸内直喷发动机已经实现大批量生产。 |
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| 2006-03-24 | IR发布逻辑级汽车沟道HEXFET MOSFET，可简化汽车电子系统设计 International Rectifier公司日前发布其逻辑沟道HEXFET MOSFET家族的新成员——100V额定电压的IRLR3110ZPbF，该器件改善了逻辑门能力，在导通电阻增加14%的情况下，门驱动能力从10V下降到4.5V |
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| 2005-11-09 | 汽车电子系统使用自保护MOSFET需考虑的因素 引言：采用自保护MOSFET可以设计出高性价比的容错系统，但损害或毁坏自保护MOSFET器件的工作情况确实存在。 |
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| 2006年3月24日 | IR发布逻辑级汽车沟道HEXFET MOSFET，可简化汽车电子系统设计 International Rectifier公司日前发布其逻辑沟道HEXFET MOSFET家族的新成员——100V额定电压的IRLR3110ZPbF，该器件改善了逻辑门能力，在导通电阻增加14%的情况下，门驱动能力从10V下降到4.5V |
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| 2006年1月13日 | 瞄准车用等领域，AOS携手DongbuAnam生产功率MOSFET 东部亚南半导体公司日前宣布，其晶圆厂与一家电源管理方案IC设计公司Alpha & Omega半导体结成联盟，在韩国生产低成本、高品质的功率MOSFET器件 |
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| 2005年12月15日 | IR带保护电路的小型车载功率MOSFET开始供货 IR日前宣布，已经开始供应带保护电路的小型车载功率MOSFET的工业样品。该智能功率开关主要面向汽车的动力传动系统、变速箱电磁线圈驱动器、电动座席、电动车窗及空调等。 |
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| 2005年11月9日 | 汽车电子系统使用自保护MOSFET需考虑的因素 引言：采用自保护MOSFET可以设计出高性价比的容错系统，但损害或毁坏自保护MOSFET器件的工作情况确实存在。 |
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| 2005年11月2日 | IR推出两款55V HEXFET功率MOSFET，适用于汽车电子 IR公司推出两款获Q101证书的55V汽车电子HEXFET功率MOSFET——IRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P。 |
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